850nm Si PIN මොඩියුල

ආකෘතිය: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

කෙටි විස්තරය:

එය ෆෝටෝන-ප්‍රකාශ විද්‍යුත්-සංඥා විස්තාරණය කිරීමේ පරිවර්තන ක්‍රියාවලිය සාක්ෂාත් කර ගැනීම සඳහා දුර්වල ධාරා සංඥා විස්තාරණය කිරීමට සහ වෝල්ටීයතා සංඥා බවට පරිවර්තනය කිරීමට හැකි වන පූර්ව-විස්තාරණ පරිපථයක් සහිත 850nm Si PIN ෆොටෝඩියෝඩ මොඩියුලයකි.

උපුටා ගන්න බාගත

තාක්ෂණික පරාමිතිය

නිෂ්පාදන ටැග්

විශේෂාංග

අධිවේගී ප්රතිචාර
ඉහළ සංවේදීතාව

අයදුම්පත්

ලේසර් ෆියුස්

ප්‍රකාශ විද්‍යුත් පරාමිතිය (@Ta=22±3℃)

අයිතමය #	පැකේජ කාණ්ඩය	ඡායාරූප සංවේදී පෘෂ්ඨයේ විෂ්කම්භය (මි.මී.)	ප්රතිචාර දැක්වීම	නැගී එන කාලය (ns)	ගතික පරාසය (dB)	ක්රියාකාරී වෝල්ටීයතාවය (V)	ශබ්ද වෝල්ටීයතාවය (mV)	සටහන්
අයිතමය #	පැකේජ කාණ්ඩය	ඡායාරූප සංවේදී පෘෂ්ඨයේ විෂ්කම්භය (මි.මී.)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850nm	ක්රියාකාරී වෝල්ටීයතාවය (V)	ශබ්ද වෝල්ටීයතාවය (mV)	සටහන්
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0.3	40	(සිද්ධි කෝණය: 0°, සම්ප්‍රේෂණය 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	±6±0.3	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	±5±0.1	25
සටහන්: GD4213Y හි පරීක්ෂණ භාරය 50Ω වේ, ඉතිරිය 1MΩ වේ